场效应管和晶闸管都是电子电路中常用的开关型器件，但是两者存在本质的区别。场效应管包括金属-氧化物半导体场效应管MOSFET。而晶闸管一般是指可控硅，可控硅按照导通方向可以分为单向可控硅SCR和双向可控硅Triac。

1 什么是场效应管

这里主要介绍MOSFET。MOSFET有三个电极，分别为栅极G、源极S和漏极D，其中栅极G为控制端，源极S和漏极D为输出端。从半导体的构成方面可以分为NMOS和PMOS。这两种MOS的电路符号如下图所示：

PMOS的衬底为N型半导体，在VGS<0时，会形成P沟道，所以叫做P沟道MOS；而NMOS的衬底为P型半导体，在VGS>0时，会形成N沟道，所以叫做N沟道MOS。PMOS和NMOS的半导体结构如下图所示。

MOS管是电压驱动型的器件，主要用作可控整流、功率开关、信号放大等，应用比较广泛。MOS管的通道依靠VGS的电平，1.移除触发信号，同时减小阳极电流使其小于维持电流；

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